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一步法合成耐化学腐蚀的Cu-SAPO-34/SiC催化膜用于协同去除粉尘和氮氧化物
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  • 发布时间:2021-06-09
  • 更新时间:2026-02-03

近日,邢卫红和仲兆祥老师课题组在Chemical Engineering Journal上发表了题为“One-pot in situ synthesis of Cu-SAPO-34/SiC catalytic membrane with enhanced binding strength and chemical resistance for combined removal of NO and dust”的研究论文,解决了SiC催化膜在应用过程中催化剂和SiC载体结合强度差,以及SiC陶瓷膜在过滤复杂气相污染物过程中易受化学侵蚀的问题。研究人员利用SiC陶瓷膜高温煅烧过程中产生的SiO2作为部分硅源,促进了Cu-SAPO-34分子筛在SiC支撑体上的原位生长。利用SiC催化膜的膜层截留粉尘,支撑体中的Cu-SAPO-34催化降解氮氧化物,实现了对粉尘和氮氧化物的协同治理。探究了不同制备方式(一步水热法和二步离子交换法)对SiC催化膜催化和分离性能的影响,通过表征分析证实一步法制备的SiC催化膜具有更多的孤立Cu2+以及吸附氧物种,更多的路易斯酸位点和优异的氧化还原能力,因而具有更优的NO降解性能。此外,Cu-SAPO-34合成过程中消耗了SiC支撑体中的SiO2,一方面增强了膜的机械强度,另一方面提高了催化膜的耐碱腐蚀性能。催化剂的负载对膜分离性能的影响不大,催化膜可在高效降解NO的同时具有优异的粉尘截留性能。

这项工作巧妙地利用了SiC陶瓷膜部分氧化生成的SiO2作为部分硅源,采用一步水热法成功地在SiC支撑体上原位合成了Cu-SAPO-34(D)/SiC催化膜,显著提高了Cu-SAPO-34SiC膜之间的结合强度。此外,SiO2的消耗显著增强了SiC催化膜的耐化学腐蚀性,使其在复杂气相环境中具有优异的应用性能。表征结果表明,0.2 Cu-SAPO-34(D)/SiC具有大量孤立的Cu2+和活性氧物种、丰富的Lewis酸中心和优异的氧化还原能力,因而在制备的催化膜中具有最佳的NH3-SCR性能。尘、硝协同去除结果表明,0.2 Cu-SAPO-34(D)/SiC催化膜的NO降解率可达98%,对PM0.3具有99.99%的去除性能,并具有非常好的稳定性。这些结果优于Cu-SAPO-34(I)/SiC催化膜。该工作为制备低成本、高性能的SiC催化膜提供了一种新的策略。

相关论文信息:https://doi.org/10.1016/j.cej.2021.130425